Silikon-on-izolační substrát SOI wafer se třemi vrstvami pro mikroelektroniku a radiofrekvenci

Silicon-On-Isolator Substrát SOI plátek se třemi vrstvami pro mikroelektroniku a radiofrekvenční obrázek

Stručný popis:

SOI celý název Silicon On Insulator, je význam struktury křemíkového tranzistoru na vrcholu izolátoru, princip je mezi křemíkovým tranzistorem, přidejte izolační materiál, může parazitní kapacita mezi těmito dvěma než původní méně než dvojnásobná.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Představení krabičky na oplatky

Představujeme naši pokročilou destičku Silicon-On-Insulator (SOI), pečlivě zkonstruovanou se třemi odlišnými vrstvami, která přináší revoluci do mikroelektroniky a radiofrekvenčních (RF) aplikací.Tento inovativní substrát kombinuje horní křemíkovou vrstvu, izolační vrstvu oxidu a spodní křemíkový substrát, aby poskytoval bezkonkurenční výkon a všestrannost.

Náš wafer SOI, navržený pro požadavky moderní mikroelektroniky, poskytuje pevný základ pro výrobu složitých integrovaných obvodů (IC) s vynikající rychlostí, energetickou účinností a spolehlivostí.Vrchní křemíková vrstva umožňuje bezproblémovou integraci složitých elektronických součástek, zatímco izolační vrstva oxidu minimalizuje parazitní kapacitu a zvyšuje celkový výkon zařízení.

V oblasti RF aplikací náš SOI wafer vyniká nízkou parazitní kapacitou, vysokým průrazným napětím a vynikajícími izolačními vlastnostmi.Ideální pro RF přepínače, zesilovače, filtry a další RF komponenty, tento substrát zajišťuje optimální výkon v bezdrátových komunikačních systémech, radarových systémech a dalších.

Kromě toho je naše wafer SOI inherentní radiační tolerancí ideální pro letecké a obranné aplikace, kde je spolehlivost v drsných prostředích kritická.Jeho robustní konstrukce a výjimečné výkonové charakteristiky zaručují konzistentní provoz i v extrémních podmínkách.

Klíčové vlastnosti:

Třívrstvá architektura: Vrchní křemíková vrstva, izolační oxidová vrstva a spodní křemíkový substrát.

Vynikající výkon mikroelektroniky: Umožňuje výrobu pokročilých integrovaných obvodů se zvýšenou rychlostí a energetickou účinností.

Vynikající RF výkon: Nízká parazitní kapacita, vysoké průrazné napětí a vynikající izolační vlastnosti pro RF zařízení.

Spolehlivost leteckého a kosmického průmyslu: Inherentní radiační tolerance zajišťuje spolehlivost v drsných prostředích.

Všestranné aplikace: Vhodné pro širokou škálu průmyslových odvětví, včetně telekomunikací, letectví, obrany a dalších.

Zažijte novou generaci mikroelektroniky a RF technologie s naším pokročilým plátkem Silicon-On-Insulator (SOI).Odemkněte nové možnosti inovací a podpořte pokrok ve svých aplikacích s naším špičkovým řešením substrátů.