8palcový 200 mm 4H-N SiC Wafer Vodivá figurína výzkumná třída

Krátký popis:

Jak se vyvíjejí přepravní, energetické a průmyslové trhy, poptávka po spolehlivé a vysoce výkonné výkonové elektronice neustále roste. Aby výrobci zařízení splnili požadavky na zlepšený výkon polovodičů, hledají polovodičové materiály se širokým pásmem, jako je naše portfolio 4H SiC Prime Grade 4H n-typu destiček z karbidu křemíku (SiC).


Detail produktu

Štítky produktu

Díky svým jedinečným fyzikálním a elektronickým vlastnostem se 200mm polovodičový materiál SiC používá k vytvoření vysoce výkonných, vysokoteplotních, radiaci odolných a vysokofrekvenčních elektronických zařízení. Cena 8palcového substrátu SiC se postupně snižuje, jak se technologie stává vyspělejší a poptávka roste. Nedávný technologický vývoj vedl k výrobě 200mm SiC waferů ve výrobním měřítku. Hlavní výhody polovodičových materiálů SiC ve srovnání s destičkami Si a GaAs: Síla elektrického pole 4H-SiC při lavinovém průrazu je o více než řád vyšší než odpovídající hodnoty pro Si a GaAs. To vede k významnému snížení odporu v zapnutém stavu Ron. Nízký odpor v zapnutém stavu v kombinaci s vysokou hustotou proudu a tepelnou vodivostí umožňuje použití velmi malých matric pro napájecí zařízení. Vysoká tepelná vodivost SiC snižuje tepelný odpor čipu. Elektronické vlastnosti zařízení na bázi SiC waferů jsou velmi stabilní v čase a teplotně stabilní, což zajišťuje vysokou spolehlivost výrobků. Karbid křemíku je extrémně odolný vůči tvrdému záření, které nezhoršuje elektronické vlastnosti čipu. Vysoká mezní provozní teplota krystalu (více než 6000C) umožňuje vytvářet vysoce spolehlivá zařízení pro drsné provozní podmínky a speciální aplikace. V současné době můžeme stabilně a nepřetržitě dodávat malé dávky 200mmSiC waferů a mít nějaké zásoby na skladě.

Specifikace

Číslo Položka Jednotka Výroba Výzkum Dummy
1. Parametry
1.1 polytyp -- 4H 4H 4H
1.2 povrchová orientace ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Elektrické parametry
2.1 dopant -- dusík typu n dusík typu n dusík typu n
2.2 odpor ohm · cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Mechanické parametry
3.1 průměr mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 tloušťka μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientace zářezu ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Hloubka zářezu mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤10 (10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Luk μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra < 0,2 Ra < 0,2 Ra < 0,2
4. Struktura
4.1 hustota mikrotrubek ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 obsah kovů atomů/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10 000 NA
5. Pozitivní kvalita
5.1 přední -- Si Si Si
5.2 povrchová úprava -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 částice ea/wafer ≤100 (velikost≥0,3μm) NA NA
5.4 poškrábat ea/wafer ≤ 5, celková délka ≤ 200 mm NA NA
5.5 Okraj
třísky/prohlubně/praskliny/skvrny/kontaminace
-- Žádný Žádný NA
5.6 Polytypové oblasti -- Žádný Plocha ≤ 10 % Plocha ≤ 30 %
5.7 přední označení -- Žádný Žádný Žádný
6. Kvalita zad
6.1 zadní úprava -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 poškrábat mm NA NA NA
6.3 Okraj defektů vzadu
čipy/zářezy
-- Žádný Žádný NA
6.4 Drsnost zad nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Zadní značení -- Zářez Zářez Zářez
7. Hrana
7.1 okraj -- Zkosení Zkosení Zkosení
8. Balíček
8.1 obal -- Epi-ready s vakuem
obal
Epi-ready s vakuem
obal
Epi-ready s vakuem
obal
8.2 obal -- Multi-wafer
balení kazet
Multi-wafer
balení kazet
Multi-wafer
balení kazet

Podrobný diagram

8palcový SiC03
8palcový SiC4
8palcový SiC5
8palcový SiC6

  • Předchozí:
  • Další:

  • Zde napište svou zprávu a pošlete nám ji