8palcové 200mm destičky SiC z karbidu křemíku 4H-N typ Výrobní třída tloušťka 500um

8palcové 200mm destičky SiC z karbidu křemíku 4H-N typ Výrobní třída 500um tloušťka Doporučený obrázek

Stručný popis:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd nabízí nejlepší výběr a ceny vysoce kvalitních plátků a substrátů z karbidu křemíku až do průměru 8 palců s N- a poloizolačními typy.Malé a velké společnosti vyrábějící polovodičová zařízení a výzkumné laboratoře po celém světě používají a spoléhají na naše destičky z karbidu silikonu.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Specifikace substrátu SiC 200 mm 8 palců

Velikost: 8 palců;

Průměr: 200mm±0,2;

Tloušťka: 500um±25;

Orientace povrchu: 4 směrem k [11-20]±0,5°;

Orientace zářezu:[1-100]±1°；

Hloubka zářezu: 1±0,25mm；

Mikrotrubka: <1cm2;

Šestihranné desky: Není povoleno;

Odpor: 0,015~0,028Ω;

EPD: <8000 cm2;

TED: < 6000 cm2

BPD: <2000 cm2

TSD: <1000 cm2

SF: plocha <1 %

TTV≤15um;

Warp≤40um；

Luk≤25um；

Poly oblasti: ≤ 5 %;

Poškrábání: <5 a kumulativní délka < 1 průměr plátku;

Čipy/zářezy: Žádné nepovolují D>0,5 mm šířka a hloubka;

Trhliny: Žádné;

Skvrna: Žádná

Okraj plátku: Zkosení;

Povrchová úprava: Double Side Polish, Si Face CMP;

Balení: Kazeta s více destičkami nebo nádoba na jednu destičku;

Současné potíže při přípravě 200mm 4H-SiC krystalů hlavně

1) Příprava vysoce kvalitních 200mm zárodečných krystalů 4H-SiC;

2) Velká nerovnoměrnost teplotního pole a řízení procesu nukleace;

3) účinnost transportu a vývoj plynných složek v systémech růstu velkých krystalů;

4) Praskání krystalů a proliferace defektů způsobené velkým nárůstem tepelného napětí.

K překonání těchto problémů a získání vysoce kvalitních 200mm SiC wafers jsou navržena řešení:

Pokud jde o přípravu zárodečných krystalů 200 mm, byly studovány příslušné teplotní pole toku pole a expandující sestava a navrženy tak, aby zohledňovaly kvalitu krystalu a velikost expandování;Počínaje 150mm krystalem SiC se:d proveďte iteraci zárodečného krystalu, aby se postupně rozšiřovala krystalizace SiC, dokud nedosáhne 200 mm;Prostřednictvím vícenásobného růstu a zpracování krystalů postupně optimalizujte kvalitu krystalů v oblasti expandování krystalů a zlepšujte kvalitu 200mm zárodečných krystalů.

Pokud jde o přípravu 200 mm vodivého krystalu a substrátu, výzkum optimalizoval návrh teplotního pole a tokového pole pro růst krystalů o velikosti 200 mm, vedl růst 200 mm vodivých krystalů SiC a kontroloval rovnoměrnost dotování.Po hrubém opracování a vytvarování krystalu byl získán 8palcový elektricky vodivý 4H-SiC ingot se standardním průměrem.Po řezání, broušení, leštění, zpracování pro získání SiC 200mm destiček o tloušťce 525 um nebo tak