8palcový 200 mm 4H-N SiC Wafer Vodivá figurína výzkumná třída

Krátký popis:

Jak se vyvíjejí dopravní, energetické a průmyslové trhy, poptávka po spolehlivé a vysoce výkonné výkonové elektronice nadále roste. Aby výrobci zařízení splnili požadavky na zlepšený výkon polovodičů, hledají polovodičové materiály se širokým pásmem, jako je naše portfolio 4H SiC Prime Grade 4H n-typu destiček z karbidu křemíku (SiC).

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Díky svým jedinečným fyzikálním a elektronickým vlastnostem se 200mm polovodičový materiál SiC používá k vytvoření vysoce výkonných, vysokoteplotních, radiaci odolných a vysokofrekvenčních elektronických zařízení. Cena 8palcového substrátu SiC se postupně snižuje, jak se technologie stává vyspělejší a poptávka roste. Nedávný technologický vývoj vedl k výrobě 200mm SiC waferů ve výrobním měřítku. Hlavní výhody polovodičových materiálů SiC ve srovnání s destičkami Si a GaAs: Síla elektrického pole 4H-SiC při lavinovém průrazu je o více než řád vyšší než odpovídající hodnoty pro Si a GaAs. To vede k významnému snížení odporu v zapnutém stavu Ron. Nízký odpor v zapnutém stavu v kombinaci s vysokou hustotou proudu a tepelnou vodivostí umožňuje použití velmi malých matric pro napájecí zařízení. Vysoká tepelná vodivost SiC snižuje tepelný odpor čipu. Elektronické vlastnosti zařízení na bázi SiC waferů jsou velmi stabilní v čase a teplotně stabilní, což zajišťuje vysokou spolehlivost výrobků. Karbid křemíku je extrémně odolný vůči tvrdému záření, které nezhoršuje elektronické vlastnosti čipu. Vysoká mezní provozní teplota krystalu (více než 6000C) umožňuje vytvářet vysoce spolehlivá zařízení pro drsné provozní podmínky a speciální aplikace. V současné době můžeme stabilně a nepřetržitě dodávat malé dávky 200mmSiC waferů a mít nějaké zásoby na skladě.

Specifikace

Číslo	Položka	Jednotka	Výroba	Výzkum	Dummy
1. Parametry
1.1	polytyp	--	4H	4H	4H
1.2	povrchová orientace	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Elektrické parametry
2.1	dopant	--	dusík typu n	dusík typu n	dusík typu n
2.2	odpor	ohm · cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Mechanické parametry
3.1	průměr	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	tloušťka	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientace zářezu	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Hloubka zářezu	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10 mm * 10 mm)	≤5 (10 mm * 10 mm)	≤10 (10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Luk	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra < 0,2	Ra < 0,2	Ra < 0,2
4. Struktura
4.1	hustota mikrotrubek	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	obsah kovů	atomů/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10 000	NA
5. Pozitivní kvalita
5.1	přední	--	Si	Si	Si
5.2	povrchová úprava	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	částice	ea/wafer	≤100 (velikost≥0,3μm)	NA	NA
5.4	poškrábat	ea/wafer	≤ 5, celková délka ≤ 200 mm	NA	NA
5.5	Okraj třísky/prohlubně/praskliny/skvrny/kontaminace	--	Žádný	Žádný	NA
5.6	Polytypové oblasti	--	Žádný	Plocha ≤ 10 %	Plocha ≤ 30 %
5.7	přední označení	--	Žádný	Žádný	Žádný
6. Kvalita zad
6.1	zadní úprava	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	poškrábat	mm	NA	NA	NA
6.3	Okraj defektů vzadu čipy/zářezy	--	Žádný	Žádný	NA
6.4	Drsnost zad	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Zadní značení	--	Zářez	Zářez	Zářez
7. Hrana
7.1	okraj	--	Zkosení	Zkosení	Zkosení
8. Balíček
8.1	obal	--	Epi-ready s vakuem obal	Epi-ready s vakuem obal	Epi-ready s vakuem obal
8.2	obal	--	Multi-wafer balení kazet	Multi-wafer balení kazet	Multi-wafer balení kazet