Gallium nitrid (GaN) Epitaxi pěstovaný na safírových destičkách 4" 6" pro MEMS
Vlastnosti GaN na safírových destičkách
● Vysoká účinnost:Zařízení na bázi GaN poskytují pětkrát více energie než zařízení na bázi křemíku, což zvyšuje výkon v různých elektronických aplikacích, včetně RF zesílení a optoelektroniky.
●Široký odstup pásma:Široká pásmová mezera GaN umožňuje vysokou účinnost při zvýšených teplotách, díky čemuž je ideální pro vysoce výkonné a vysokofrekvenční aplikace.
● Trvanlivost:Schopnost GaN zvládat extrémní podmínky (vysoké teploty a záření) zajišťuje dlouhotrvající výkon v náročných prostředích.
●Malá velikost:GaN umožňuje výrobu kompaktnějších a lehčích zařízení ve srovnání s tradičními polovodičovými materiály, což usnadňuje menší a výkonnější elektroniku.
Abstraktní
Gallium Nitride (GaN) se objevuje jako polovodič volby pro pokročilé aplikace vyžadující vysoký výkon a účinnost, jako jsou RF front-end moduly, vysokorychlostní komunikační systémy a LED osvětlení. Epitaxní destičky GaN, když rostou na safírových substrátech, nabízejí kombinaci vysoké tepelné vodivosti, vysokého průrazného napětí a široké frekvenční odezvy, které jsou klíčové pro optimální výkon v bezdrátových komunikačních zařízeních, radarech a rušičích. Tyto destičky jsou k dispozici v průměrech 4 palců i 6 palců s různými tloušťkami GaN, aby vyhovovaly různým technickým požadavkům. Jedinečné vlastnosti GaN z něj dělají hlavního kandidáta na budoucnost výkonové elektroniky.
Parametry produktu
| Funkce produktu | Specifikace |
| Průměr plátku | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrát | Safír |
| Tloušťka vrstvy GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Typ GaN/Doping | Typ N (typ P k dispozici na vyžádání) |
| Orientace krystalů GaN | <0001> |
| Typ leštění | Jednostranně leštěné (SSP), oboustranně leštěné (DSP) |
| Al2O3 Tloušťka | 430 μm - 650 μm |
| TTV (kolísání celkové tloušťky) | ≤ 10 μm |
| Luk | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Plocha povrchu | Užitná plocha > 90 % |
Otázky a odpovědi
Q1: Jaké jsou klíčové výhody použití GaN oproti tradičním polovodičům na bázi křemíku?
A1: GaN nabízí několik významných výhod oproti křemíku, včetně širší bandgap, což mu umožňuje zvládnout vyšší průrazná napětí a efektivně pracovat při vyšších teplotách. Díky tomu je GaN ideální pro vysoce výkonné a vysokofrekvenční aplikace, jako jsou RF moduly, výkonové zesilovače a LED diody. Schopnost GaN zvládnout vyšší hustoty výkonu také umožňuje menší a účinnější zařízení ve srovnání s alternativami na bázi křemíku.
Q2: Lze GaN na Sapphire waferech použít v aplikacích MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)?
A2: Ano, GaN na waferech Sapphire je vhodný pro aplikace MEMS, zejména tam, kde je vyžadován vysoký výkon, teplotní stabilita a nízká hlučnost. Díky své odolnosti a účinnosti ve vysokofrekvenčním prostředí je ideální pro zařízení MEMS používaná v bezdrátové komunikaci, snímání a radarových systémech.
Q3: Jaké jsou potenciální aplikace GaN v bezdrátové komunikaci?
A3: GaN je široce používán v RF front-end modulech pro bezdrátovou komunikaci, včetně infrastruktury 5G, radarových systémů a rušiček. Díky vysoké hustotě výkonu a tepelné vodivosti je ideální pro vysoce výkonná a vysokofrekvenční zařízení, což umožňuje lepší výkon a menší tvarové faktory ve srovnání s řešeními na bázi křemíku.
Q4: Jaké jsou dodací lhůty a minimální objednací množství pro GaN na Sapphire waferech?
A4: Dodací lhůty a minimální objednací množství se liší v závislosti na velikosti plátku, tloušťce GaN a specifických požadavcích zákazníka. Kontaktujte nás prosím přímo pro podrobnou cenu a dostupnost na základě vašich specifikací.
Q5: Mohu získat vlastní tloušťku vrstvy GaN nebo úrovně dopingu?
A5: Ano, nabízíme přizpůsobení tloušťky GaN a úrovní dopingu tak, aby vyhovovaly specifickým potřebám aplikace. Dejte nám prosím vědět vaše požadované specifikace a my vám nabídneme řešení na míru.
Podrobný diagram
