Epitaxní nanesení nitridu galia (GaN) na safírové destičky o rozměrech 4" a 6" pro MEMS
Vlastnosti GaN na safírových destičkách
●Vysoká účinnost:Zařízení na bázi GaN poskytují pětkrát více energie než zařízení na bázi křemíku, což zlepšuje výkon v různých elektronických aplikacích, včetně zesilování rádiových signálů a optoelektroniky.
●Široká zakázaná pásma:Široká zakázaná pásma GaN umožňuje vysokou účinnost při zvýšených teplotách, což je ideální pro aplikace s vysokým výkonem a vysokými frekvencemi.
●Trvanlivost:Schopnost GaN zvládat extrémní podmínky (vysoké teploty a záření) zajišťuje dlouhodobý výkon v náročných podmínkách.
●Malá velikost:GaN umožňuje výrobu kompaktnějších a lehčích součástek ve srovnání s tradičními polovodičovými materiály, což usnadňuje výrobu menší a výkonnější elektroniky.
Abstraktní
Nitrid galia (GaN) se stává preferovaným polovodičem pro pokročilé aplikace vyžadující vysoký výkon a účinnost, jako jsou RF front-end moduly, vysokorychlostní komunikační systémy a LED osvětlení. Epitaxní destičky GaN, pokud jsou pěstovány na safírových substrátech, nabízejí kombinaci vysoké tepelné vodivosti, vysokého průrazného napětí a široké frekvenční odezvy, což je klíčové pro optimální výkon v bezdrátových komunikačních zařízeních, radarech a rušičkách. Tyto destičky jsou k dispozici v průměru 4 palce a 6 palců s různými tloušťkami GaN, aby splňovaly různé technické požadavky. Jedinečné vlastnosti GaN z něj činí hlavního kandidáta pro budoucnost výkonové elektroniky.
Parametry produktu
| Funkce produktu | Specifikace |
| Průměr destičky | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrát | Safír |
| Tloušťka vrstvy GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Typ/dopování GaN | Typ N (typ P k dispozici na vyžádání) |
| Orientace krystalu GaN | <0001> |
| Typ leštění | Jednostranně leštěné (SSP), oboustranně leštěné (DSP) |
| Tloušťka Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (celková variace tloušťky) | ≤ 10 μm |
| Luk | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Plocha povrchu | Užitečná plocha > 90 % |
Otázky a odpovědi
Q1: Jaké jsou klíčové výhody použití GaN oproti tradičním polovodičům na bázi křemíku?
A1GaN nabízí oproti křemíku několik významných výhod, včetně širší zakázané pásmové oblasti, která mu umožňuje zvládat vyšší průrazná napětí a efektivně pracovat při vyšších teplotách. Díky tomu je GaN ideální pro vysoce výkonné a vysokofrekvenční aplikace, jako jsou RF moduly, výkonové zesilovače a LED diody. Schopnost GaN zvládat vyšší hustoty výkonu také umožňuje menší a efektivnější zařízení ve srovnání s alternativami na bázi křemíku.
Otázka 2: Lze GaN na safírových destičkách použít v aplikacích MEMS (mikroelektromechanické systémy)?
A2Ano, GaN na safírových waferech je vhodný pro aplikace MEMS, zejména tam, kde je vyžadován vysoký výkon, teplotní stabilita a nízký šum. Trvanlivost a účinnost materiálu ve vysokofrekvenčním prostředí ho činí ideálním pro zařízení MEMS používaná v bezdrátové komunikaci, senzorických a radarových systémech.
Q3: Jaké jsou potenciální aplikace GaN v bezdrátové komunikaci?
A3GaN se široce používá v RF front-end modulech pro bezdrátovou komunikaci, včetně 5G infrastruktury, radarových systémů a rušiček. Jeho vysoká hustota výkonu a tepelná vodivost ho předurčují pro vysoce výkonná zařízení s vysokou frekvencí, což umožňuje lepší výkon a menší rozměry ve srovnání s řešeními na bázi křemíku.
Q4: Jaké jsou dodací lhůty a minimální objednací množství pro GaN na safírových waferech?
A4Dodací lhůty a minimální objednané množství se liší v závislosti na velikosti destičky, tloušťce GaN a specifických požadavcích zákazníka. Pro podrobné informace o cenách a dostupnosti na základě vašich specifikací nás prosím kontaktujte přímo.
Q5: Mohu si nechat nastavit vlastní tloušťku vrstvy GaN nebo úrovně dopování?
A5Ano, nabízíme úpravy tloušťky GaN a úrovně dopování pro splnění specifických požadavků aplikace. Sdělte nám prosím vaše požadované specifikace a my vám poskytneme řešení na míru.
Podrobný diagram
