6palcový SiC Epitaxiy typ N/P přijímá přizpůsobené
Proces přípravy epitaxního plátku z karbidu křemíku je metodou využívající technologii chemické depozice z plynné fáze (CVD).Níže jsou uvedeny příslušné technické zásady a kroky procesu přípravy:
Technický princip:
Chemická depozice z plynné fáze: Využitím plynu suroviny v plynné fázi se za specifických reakčních podmínek rozloží a uloží na substrát za vzniku požadovaného tenkého filmu.
Reakce v plynné fázi: Pyrolýzou nebo krakovací reakcí se v reakční komoře chemicky mění plyny různých surovin v plynné fázi.
Kroky procesu přípravy:
Úprava substrátu: Substrát je podroben povrchovému čištění a předúpravě, aby byla zajištěna kvalita a krystalinita epitaxního plátku.
Ladění reakční komory: upravte teplotu, tlak a průtok reakční komory a další parametry pro zajištění stability a kontroly reakčních podmínek.
Zásobování surovinami: dodává požadované plynné suroviny do reakční komory, míchá a řídí průtok podle potřeby.
Reakční proces: Zahřátím reakční komory prochází plynná surovina chemickou reakcí v komoře za vzniku požadovaného nánosu, tj. filmu karbidu křemíku.
Chlazení a vykládání: Na konci reakce se teplota postupně snižuje, aby se ochladily a ztuhly usazeniny v reakční komoře.
Epitaxní žíhání a následné zpracování: uložený epitaxní plátek je žíhán a následně zpracován, aby se zlepšily jeho elektrické a optické vlastnosti.
Specifické kroky a podmínky procesu přípravy epitaxní destičky z karbidu křemíku se mohou lišit v závislosti na konkrétním zařízení a požadavcích.Výše uvedené je pouze obecný procesní tok a princip, konkrétní provoz je třeba upravit a optimalizovat podle aktuální situace.
Podrobný diagram
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)