4palcové polotuhé SiC destičky HPSI SiC substrát Prime Production grade

4palcové polotuhé SiC destičky HPSI SiC substrát Prime Production jakost Obrázek

Stručný popis:

Čtyřpalcová vysoce čistá poloizolovaná oboustranná lešticí deska z karbidu křemíku se používá hlavně v 5G komunikaci a dalších oblastech. Má výhody zlepšení rádiového frekvenčního rozsahu, rozpoznávání na ultra dlouhé vzdálenosti, ochrany před rušením, vysokorychlostního přenosu informací s velkou kapacitou a dalších aplikací a je považována za ideální substrát pro výrobu mikrovlnných zařízení.

Pošlete nám e-mail

Detaily produktu

Štítky produktů

Specifikace produktu

Karbid křemíku (SiC) je složená polovodičová hmota složená z uhlíku a křemíku a je jedním z ideálních materiálů pro výrobu vysokoteplotních, vysokofrekvenčních, výkonných a vysokonapěťových zařízení. Ve srovnání s tradičním křemíkovým materiálem (Si) je šířka zakázaného pásu karbidu křemíku třikrát vyšší než u křemíku; tepelná vodivost je 4–5krát vyšší než u křemíku; průrazné napětí je 8–10krát vyšší než u křemíku; a rychlost driftu elektronové saturace je 2–3krát vyšší než u křemíku, což splňuje potřeby moderního průmyslu pro vysokovýkonná, vysokonapěťová a vysokofrekvenční zařízení. Používá se hlavně k výrobě vysokorychlostních, vysokofrekvenčních, výkonných a světelně emitujících elektronických součástek. Mezi jeho následné oblasti použití patří inteligentní sítě, vozidla pro nové zdroje energie, fotovoltaika a větrná energie, 5G komunikace atd. V oblasti výkonových zařízení se začaly komerčně používat karbidové diody a MOSFETy.

Výhody SiC destiček/SiC substrátu

Odolnost vůči vysokým teplotám. Šířka zakázaného pásu karbidu křemíku je 2–3krát větší než u křemíku, takže elektrony při vysokých teplotách méně přeskakují a odolávají vyšším provozním teplotám. Tepelná vodivost karbidu křemíku je 4–5krát větší než u křemíku, což usnadňuje odvod tepla ze zařízení a umožňuje vyšší provozní teplotu. Vysokoteplotní charakteristiky mohou výrazně zvýšit hustotu výkonu a zároveň snížit požadavky na systém odvodu tepla, čímž se terminál stane lehčím a miniaturizovanějším.

Odolnost proti vysokému napětí. Průrazná síla karbidu křemíku je desetkrát větší než u křemíku, což mu umožňuje odolávat vyšším napětím a je tak vhodnější pro vysokonapěťová zařízení.

Vysokofrekvenční odpor. Karbid křemíku má dvakrát vyšší rychlost driftu elektronů nasycení než křemík, což vede k tomu, že v jeho zařízeních během procesu vypínání nedochází k jevu odporu proudu, což může efektivně zlepšit spínací frekvenci zařízení a dosáhnout miniaturizace zařízení.

Nízké energetické ztráty. Karbid křemíku má ve srovnání s křemíkovými materiály velmi nízký odpor v sepnutí a nízké ztráty vedením. Zároveň vysoká šířka pásma karbidu křemíku výrazně snižuje svodový proud a ztráty výkonu. Kromě toho se u zařízení s karbidem křemíku během vypínání nevyskytuje jev odporu proudu, což má nízké ztráty spínání.