4palcové poloizolační desky SiC Substrát HPSI SiC Prvotřídní třída výroby

4palcové polourážlivé SiC wafery HPSI SiC substrát Prvotřídní produkční třída Doporučený obrázek

Krátký popis:

4palcová vysoce čistá poloizolovaná oboustranná leštící deska z karbidu křemíku se používá hlavně v komunikaci 5G a dalších oblastech, s výhodami zlepšení rádiového frekvenčního rozsahu, rozpoznávání na velmi dlouhé vzdálenosti, anti-interference, vysokorychlostní , velkokapacitní přenos informací a další aplikace a je považován za ideální substrát pro výrobu mikrovlnných energetických zařízení.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Specifikace produktu

Karbid křemíku (SiC) je složený polovodičový materiál složený z prvků uhlíku a křemíku a je jedním z ideálních materiálů pro výrobu vysokoteplotních, vysokofrekvenčních, vysoce výkonných a vysokonapěťových zařízení. Ve srovnání s tradičním křemíkovým materiálem (Si) je zakázaná šířka pásma karbidu křemíku třikrát větší než u křemíku; tepelná vodivost je 4-5krát vyšší než u křemíku; průrazné napětí je 8-10krát větší než u křemíku; a rychlost driftu nasycení elektronů je 2-3krát vyšší než u křemíku, což splňuje potřeby moderního průmyslu pro vysokovýkonné, vysokonapěťové a vysokofrekvenční technologie a používá se hlavně k výrobě vysokorychlostních, vysokofrekvenčních frekvenční, vysoce výkonné a světlo emitující elektronické součástky a mezi oblasti jejich navazujících aplikací patří chytrá síť, nová energetická vozidla, fotovoltaická větrná energie, 5G komunikace atd. V oblasti energetických zařízení křemík komerčně se začaly uplatňovat karbidové diody a MOSFETy.

Výhody SiC waferů/SiC substrátu

Vysoká teplotní odolnost. Zakázaná šířka pásma karbidu křemíku je 2–3krát větší než u křemíku, takže elektrony s menší pravděpodobností přeskakují při vysokých teplotách a snesou vyšší provozní teploty a tepelná vodivost karbidu křemíku je 4–5krát vyšší než u křemíku. snadněji odvádí teplo ze zařízení a umožňuje vyšší mezní provozní teplotu. Vysokoteplotní charakteristiky mohou výrazně zvýšit hustotu výkonu a zároveň snížit požadavky na systém odvodu tepla, díky čemuž je terminál lehčí a miniaturizovaný.

Odolnost proti vysokému napětí. Síla průrazného pole karbidu křemíku je 10krát větší než u křemíku, což mu umožňuje odolat vyšším napětím, takže je vhodnější pro vysokonapěťová zařízení.

Vysokofrekvenční odpor. Karbid křemíku má dvakrát vyšší rychlost saturačního elektronového driftu než křemík, což vede k tomu, že jeho zařízení v procesu vypínání neexistuje v současném jevu odporu, může účinně zlepšit frekvenci spínání zařízení, aby se dosáhlo miniaturizace zařízení.

Nízká energetická ztráta. Karbid křemíku má ve srovnání s křemíkovými materiály velmi nízký odpor, nízké ztráty vedení; současně velká šířka pásma karbidu křemíku výrazně snižuje svodový proud, ztrátu výkonu; kromě toho, karbid křemíku zařízení v procesu vypnutí neexistuje v současném jevu odporu, nízké spínací ztráty.