4palcový safírový destičkový čip v rovině C, SSP/DSP, 0,43 mm, 0,65 mm
Aplikace
● Růstový substrát pro sloučeniny III-V a II-VI.
● Elektronika a optoelektronika.
● IR aplikace.
● Silikon na integrovaném obvodu Sapphire (SOS).
● Rozhlasový frekvenční integrovaný obvod (RFIC).
Při produkci LED se safírové oplatky používají jako substrát pro růst krystalů nitridu gallia (GAN), které vyzařují světlo při aplikaci elektrického proudu. Sapphire je ideální materiál substrátu pro růst GAN, protože má podobnou krystalovou strukturu a koeficient tepelné roztažnosti vůči GAN, což minimalizuje defekty a zlepšuje kvalitu krystalu.
V optice se safírové oplatky používají jako okna a čočky ve vysokotlakém a vysokoteplotním prostředí, jakož i v infračervených zobrazovacích systémech, kvůli jejich vysoké transparentnosti a tvrdosti.
Specifikace
| Položka | 4palcová rovina C (0001) 650 μm Sapphire Deplaty | |
| Křišťálové materiály | 99,999%, vysoká čistota, monokrystalický Al2O3 | |
| Stupeň | Prime, Epi-Ready | |
| Povrchová orientace | C-rovina (0001) | |
| C-roviny off-úsek směrem k ose M 0,2 +/- 0,1 ° | ||
| Průměr | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Tloušťka | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primární plochá orientace | A-rovina (11-20) +/- 0,2 ° | |
| Primární délka plochých | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Jednorázová leštěná | Přední povrch | Lesklý EPI, RA <0,2 nm (od AFM) |
| (SSP) | Zadní povrch | Jemná půda, RA = 0,8 μm až 1,2 μm |
| Dvojitá strana leštěná | Přední povrch | Lesklý EPI, RA <0,2 nm (od AFM) |
| (DSP) | Zadní povrch | Lesklý EPI, RA <0,2 nm (od AFM) |
| TTV | <20 μm | |
| LUK | <20 μm | |
| Warp | <20 μm | |
| Čištění / balení | Čištění čistých prostor třídy 100 a vakuové balení, | |
| 25 kusů v jednom kazetovém balení nebo v balení po jednotlivých kusech. | ||
Balení a doprava
Obecně řečeno, dodáváme balení v kazetových krabicích po 25 kusech; můžeme také balit v kontejneru po jednotlivých oplatkách v čisticí místnosti třídy 100 dle požadavků klienta.
Podrobný diagram
