Co znamenají TTV, BOW, WARP a TIR u destiček?

Při zkoumání polovodičových křemíkových destiček nebo substrátů vyrobených z jiných materiálů se často setkáváme s technickými indikátory, jako jsou: TTV, BOW, WARP a případně i TIR, STIR, LTV a další. Jaké parametry tyto indikátory představují?

 

TTV — Celková variace tloušťky
BOW — Luk
WARP — Warp
TIR — Celkový indikovaný odečet
STIR — Celkový indikovaný údaj na webu
LTV — Lokální variace tloušťky

 

1. Celková variace tloušťky – TTV

da81be48e8b2863e21d68a6b25f09db7Rozdíl mezi maximální a minimální tloušťkou destičky vzhledem k referenční rovině, když je destička upnutá a v těsném kontaktu. Obvykle se vyjadřuje v mikrometrech (μm), často se udává jako: ≤15 μm.

 

2. Ukloň se — UKLÍN

081e298fdd6abf4be6f882cfbb704f12

Odchylka mezi minimální a maximální vzdáleností od středového bodu povrchu destičky k referenční rovině, když je destička ve volném (neupevněném) stavu. To zahrnuje jak konkávní (negativní prohnutí), tak konvexní (pozitivní prohnutí) případy. Obvykle se vyjadřuje v mikrometrech (μm), často jako: ≤40 μm.

 

3. Warp — WARP

e3c709bbb4ed2b11345e6a942df24fa4

Odchylka mezi minimální a maximální vzdáleností od povrchu destičky k referenční rovině (obvykle zadnímu povrchu destičky), když je destička ve volném (neupevněném) stavu. To zahrnuje jak konkávní (negativní deformace), tak konvexní (pozitivní deformace) stav. Obecně se vyjadřuje v mikrometrech (μm), často jako: ≤30 μm.

 

4. Celkový indikovaný údaj – TIR

8923bc5c7306657c1df01ff3ccffe6b4

 

Když je destička upnuta a v těsném kontaktu, pomocí referenční roviny, která minimalizuje součet průsečíků všech bodů v oblasti kvality nebo ve specifikované lokální oblasti na povrchu destičky, je TIR odchylka mezi maximální a minimální vzdáleností od povrchu destičky k této referenční rovině.

 

Společnost XKH, založená na hlubokých odborných znalostech v oblasti specifikací polovodičových materiálů, jako jsou TTV, BOW, WARP a TIR, poskytuje přesné zakázkové zpracování destiček přizpůsobené přísným průmyslovým standardům. Dodáváme a podporujeme širokou škálu vysoce výkonných materiálů, včetně safíru, karbidu křemíku (SiC), křemíkových destiček, SOI a křemene, což zajišťuje výjimečnou rovinnost, konzistenci tloušťky a kvalitu povrchu pro pokročilé aplikace v optoelektronice, výkonových zařízeních a MEMS. Důvěřujte nám, že dodáme spolehlivá materiálová řešení a přesné obrábění, které splní vaše nejnáročnější konstrukční požadavky.

 

https://www.xkh-semitech.com/single-crystal-silicon-wafer-si-substrate-type-np-optional-silicon-carbide-wafer-product/

 


Čas zveřejnění: 29. srpna 2025