Ve srovnání se zařízeními z karbidu křemíku budou mít energetická zařízení s nitridem galia více výhod ve scénářích, kde je současně vyžadována účinnost, frekvence, objem a další komplexní aspekty, jako jsou zařízení na bázi nitridu galia byla úspěšně použita v oblasti rychlého nabíjení na velké měřítko. S propuknutím nových následných aplikací a nepřetržitým průlomem v technologii přípravy substrátu z nitridu galia se očekává, že zařízení GaN budou nadále narůstat v objemu a stanou se jednou z klíčových technologií pro snižování nákladů a efektivitu, udržitelný zelený rozvoj.
V současnosti se třetí generace polovodičových materiálů stala důležitou součástí strategických rozvíjejících se průmyslových odvětví a také se stává strategickým řídícím bodem pro využití další generace informačních technologií, úspor energie a snižování emisí a technologií národní obrany. Mezi nimi je nitrid galia (GaN) jedním z nejreprezentativnějších polovodičových materiálů třetí generace jako polovodičový materiál se širokým bandgapem s šířkou pásma 3,4 eV.
3. července Čína zpřísnila vývoz gallia a položek souvisejících s germaniem, což je důležitá politická úprava založená na důležitém atributu gallia, vzácného kovu, jako „nového zrna polovodičového průmyslu“ a jeho širokých aplikačních výhodách v polovodičové materiály, nová energetika a další obory. S ohledem na tuto změnu politiky bude tento dokument diskutovat a analyzovat nitrid galia z hlediska technologie přípravy a výzev, nových bodů růstu v budoucnosti a vzoru konkurence.
Krátký úvod:
Gallium nitrid je druh syntetického polovodičového materiálu, který je typickým představitelem třetí generace polovodičových materiálů. Ve srovnání s tradičními křemíkovými materiály má nitrid galia (GaN) výhody velké mezery v pásmu, silného průrazného elektrického pole, nízkého odporu při zapnutí, vysoké mobility elektronů, vysoké účinnosti konverze, vysoké tepelné vodivosti a nízkých ztrát.
Monokrystal nitridu galia je nová generace polovodičových materiálů s vynikajícím výkonem, které mohou být široce používány v komunikaci, radaru, spotřební elektronice, automobilové elektronice, energetické energii, průmyslovém laserovém zpracování, přístrojové technice a dalších oblastech, takže jeho vývoj a hromadná výroba jsou středem pozornosti zemí a průmyslových odvětví po celém světě.
Aplikace GaN
Komunikační základnová stanice 1--5G
Bezdrátová komunikační infrastruktura je hlavní oblastí použití RF zařízení s nitridem galia, která představuje 50 %.
2--Vysoké napájení
Funkce „dvojité výšky“ GaN má velký potenciál pronikání do vysoce výkonných zařízení spotřební elektroniky, která mohou splnit požadavky scénářů rychlého nabíjení a ochrany nabíjení.
3--Nové energetické vozidlo
Z praktického hlediska jsou současná polovodičová zařízení třetí generace na autě především zařízení z karbidu křemíku, ale existují vhodné materiály z nitridu galia, které mohou projít certifikací autoregulace modulů výkonových zařízení nebo jinými vhodnými způsoby balení. být stále přijímán celým závodem a výrobci OEM.
4--Datové centrum
Výkonové polovodiče GaN se používají především v napájecích zdrojích PSU v datových centrech.
Stručně řečeno, s propuknutím nových následných aplikací a neustálými průlomy v technologii přípravy substrátu z nitridu galia se očekává, že zařízení GaN budou nadále narůstat v objemu a stanou se jednou z klíčových technologií pro snížení nákladů a efektivitu a udržitelný zelený rozvoj.
Čas odeslání: 27. července 2023