26. dne společnost Power Cube Semi oznámila úspěšný vývoj prvního polovodiče 2300V SiC (karbid křemíku) v Jižní Koreji MOSFET.
Ve srovnání se stávajícími polovodiči na bázi Si (Silicon) může SiC (karbid křemíku) odolat vyšším napětím, a proto je oslavován jako zařízení nové generace, které bude v budoucnosti výkonových polovodičů. Slouží jako klíčová součást nezbytná pro zavádění špičkových technologií, jako je šíření elektrických vozidel a rozšiřování datových center poháněných umělou inteligencí.
Power Cube Semi je fiktivní společnost, která vyvíjí výkonová polovodičová zařízení ve třech hlavních kategoriích: SiC (karbid křemíku), Si (křemík) a Ga2O3 (oxid galia). Nedávno společnost aplikovala a prodala vysokokapacitní diody Schottky Barrier Diodes (SBD) globální společnosti na výrobu elektrických vozidel v Číně, čímž získala uznání za svůj design a technologii polovodičů.
Vydání 2300V SiC MOSFET je pozoruhodné jako první takový případ vývoje v Jižní Koreji. Infineon, globální společnost vyrábějící výkonové polovodiče se sídlem v Německu, rovněž oznámila uvedení svého 2000V produktu v březnu, ale bez produktové řady 2300V.
2000V CoolSiC MOSFET společnosti Infineon, využívající balíček TO-247PLUS-4-HCC, splňuje požadavky konstruktérů na zvýšenou hustotu výkonu a zajišťuje spolehlivost systému i za přísných podmínek vysokého napětí a spínací frekvence.
CoolSiC MOSFET nabízí vyšší stejnosměrné napětí, což umožňuje zvýšení výkonu bez zvýšení proudu. Je to první diskrétní zařízení z karbidu křemíku na trhu s průrazným napětím 2000 V, využívající pouzdro TO-247PLUS-4-HCC s povrchovou vzdáleností 14 mm a vůlí 5,4 mm. Tato zařízení se vyznačují nízkými spínacími ztrátami a jsou vhodná pro aplikace, jako jsou solární střídače, systémy pro ukládání energie a nabíjení elektromobilů.
Produktová řada CoolSiC MOSFET 2000V je vhodná pro vysokonapěťové DC sběrnicové systémy až do 1500V DC. Ve srovnání s 1700V SiC MOSFET poskytuje toto zařízení dostatečnou rezervu přepětí pro 1500V DC systémy. CoolSiC MOSFET nabízí prahové napětí 4,5 V a je vybaven robustními diodami v těle pro tvrdou komutaci. Díky technologii připojení .XT nabízejí tyto komponenty vynikající tepelný výkon a vysokou odolnost proti vlhkosti.
Kromě 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon brzy uvede na trh doplňkové CoolSiC diody zabalené v TO-247PLUS 4-pinových a TO-247-2 pouzdrech ve třetím čtvrtletí roku 2024, respektive v posledním čtvrtletí roku 2024. Tyto diody jsou zvláště vhodné pro solární aplikace. K dispozici jsou také odpovídající kombinace produktů pohonu brány.
Na trhu je nyní dostupná produktová řada CoolSiC MOSFET 2000V. Dále Infineon nabízí vhodné vyhodnocovací desky: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Vývojáři mohou tuto desku použít jako přesnou obecnou testovací platformu pro hodnocení všech CoolSiC MOSFETů a diod dimenzovaných na 2000 V, stejně jako kompaktní jednokanálový izolační hradlový ovladač EiceDRIVER 1ED31xx produktové řady prostřednictvím dvoupulzního nebo nepřetržitého PWM provozu.
Gung Shin-soo, technologický ředitel společnosti Power Cube Semi, uvedl: „Byli jsme schopni rozšířit naše stávající zkušenosti s vývojem a hromadnou výrobou 1700V SiC MOSFETů na 2300V.
Čas odeslání: duben-08-2024