Zprávy
-
Aplikace vodivých a poloizolovaných substrátů z karbidu křemíku
Substrát z karbidu křemíku se dělí na poloizolační a vodivý typ. V současné době je běžnou specifikací poloizolovaných substrátů z karbidu křemíku 4 palce. U vodivého karbidu křemíku...Číst dále -
Existují také rozdíly v aplikaci safírových destiček s různou orientací krystalů?
Safír je monokrystal oxidu hlinitého, patřící do trojdílné krystalové soustavy, hexagonální struktury. Jeho krystalová struktura se skládá ze tří atomů kyslíku a dvou atomů hliníku v kovalentní vazbě, uspořádaných velmi blízko sebe, se silným vazebným řetězcem a mřížkovou energií, zatímco jeho krystalová struktura...Číst dále -
Jaký je rozdíl mezi vodivým substrátem SiC a poloizolovaným substrátem?
Zařízení z karbidu křemíku SiC označuje zařízení vyrobené z karbidu křemíku jako suroviny. Podle různých odporových vlastností se dělí na vodivá výkonová zařízení z karbidu křemíku a poloizolovaná vysokofrekvenční zařízení z karbidu křemíku. Hlavní formy zařízení a...Číst dále -
Článek vás provede mistrem TGV
Co je TGV? TGV (Through-Glass via), technologie vytváření průchozích otvorů na skleněném substrátu. Jednoduše řečeno, TGV je výšková budova, která děruje, vyplňuje a spojuje sklo nahoru a dolů, aby se na skleněné ploše vytvořily integrované obvody...Číst dále -
Jaké jsou ukazatele hodnocení kvality povrchu destičky?
S neustálým rozvojem polovodičové technologie jsou v polovodičovém průmyslu a dokonce i ve fotovoltaickém průmyslu velmi přísné i požadavky na kvalitu povrchu substrátu destičky nebo epitaxní fólie. Jaké jsou tedy požadavky na kvalitu...Číst dále -
Kolik toho víte o procesu růstu monokrystalů SiC?
Karbid křemíku (SiC), jako druh polovodičového materiálu s širokým pásmovým zakázaným pásem, hraje stále důležitější roli v aplikacích moderní vědy a techniky. Karbid křemíku má vynikající tepelnou stabilitu, vysokou toleranci elektrického pole, úmyslnou vodivost a...Číst dále -
Průlomová bitva o domácí SiC substráty
V posledních letech, s neustálým pronikáním navazujících aplikací, jako jsou nová energetická vozidla, fotovoltaická výroba energie a skladování energie, hraje SiC jako nový polovodičový materiál v těchto oblastech důležitou roli. Podle...Číst dále -
SiC MOSFET, 2300 voltů.
Společnost Power Cube Semi oznámila 26. prosince úspěšný vývoj prvního jihokorejského polovodičového MOSFETu SiC (karbid křemíku) s napětím 2300 V. Ve srovnání se stávajícími polovodiči na bázi Si (karbid křemíku) odolává vyšším napětím, a proto je označován za...Číst dále -
Je oživení polovodičů jen iluzí?
V letech 2021 až 2022 došlo k rychlému růstu globálního trhu s polovodiči v důsledku vzniku zvláštních požadavků v důsledku vypuknutí pandemie COVID-19. Nicméně, jak zvláštní požadavky způsobené pandemií COVID-19 skončily v druhé polovině roku 2022 a propadly se do...Číst dále -
V roce 2024 se kapitálové výdaje do polovodičů snížily
Prezident Biden ve středu oznámil dohodu o poskytnutí přímého financování společnosti Intel ve výši 8,5 miliardy dolarů a půjček ve výši 11 miliard dolarů v rámci zákona CHIPS and Science Act. Intel tyto finanční prostředky použije na své továrny na destičky v Arizoně, Ohiu, Novém Mexiku a Oregonu. Jak uvádí náš...Číst dále -
Co je to SiC destička?
SiC destičky jsou polovodiče vyrobené z karbidu křemíku. Tento materiál byl vyvinut v roce 1893 a je ideální pro řadu aplikací. Obzvláště vhodné pro Schottkyho diody, Schottkyho diody s bariérovým přechodem, spínače a tranzistory typu kov-oxid-polovodič s efektem pole...Číst dále -
Hloubkový výklad polovodiče třetí generace – karbidu křemíku
Úvod do karbidu křemíku Karbid křemíku (SiC) je složený polovodičový materiál složený z uhlíku a křemíku, který je jedním z ideálních materiálů pro výrobu vysokoteplotních, vysokofrekvenčních, výkonných a vysokonapěťových zařízení. Ve srovnání s tradičními ...Číst dále