Epi-vrstva
-
6palcový SiC Epitaxiy typ N/P přijímá přizpůsobené
-
4palcový SiC Epi wafer pro MOS nebo SBD
-
Silikon-on-izolační substrát SOI wafer se třemi vrstvami pro mikroelektroniku a radiofrekvenci
-
SOI waferový izolátor na silikonových 8palcových a 6palcových SOI (Silicon-On-Insulator) waferech
-
6palcový GaN-On-Sapphire
-
50,8 mm 2palcový GaN na safírovém epi-vrstvém plátku
-
100mm 4palcový GaN na safírovém epi-vrstvém plátku Epitaxní plát z nitridu galia
-
150 mm 200 mm 6 palců 8 palců GaN na křemíkové Epi-vrstvě waferu Gallium nitrid epitaxní wafer
-
200 mm 8palcový GaN na safírovém epi-vrstvém waferovém substrátu
-
4palcový 6palcový lithiový niobátový monokrystalový plátek LNOI
-
50,8mm/100mm AlN šablona na NPSS/FSS AlN šablona na safíru